MT29F256G08CMCABK3-10Z:A TR

MT29F256G08CMCABK3-10Z:A TR 是美光科技生产的一款256Gb（32GB）容量、采用并行接口的NAND闪存芯片。它基于闪存-NAND技术，属于非易失性存储器，能够在断电后长期保存数据。该器件以32G x 8位的架构组织数据，支持高达100MHz的时钟频率，可提供较高的数据传输速率，适用于需要快速读写操作的场景。

其工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容常见的3.3V逻辑电平，工作温度范围为0°C至70°C，满足多数商业及工业应用的环境要求。芯片采用表面贴装型封装，并以卷带（TR）形式供货，便于自动化生产装配。这款高密度并行闪存主要设计用于需要大容量、非易失性数据存储的嵌入式系统和存储设备中。

• 制造商产品型号：MT29F256G08CMCABK3-10Z:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PARALLEL 100MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：-
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