MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR是美光科技生产的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口设计。该器件基于浮栅型存储单元技术，提供32G x 8的组织结构，支持100MHz时钟频率操作，能够满足高速数据存储和读取的需求。
芯片工作在2.7V至3.6V电压范围内，采用132引脚TBGA表面贴装封装，适用于商业温度环境（0°C至70°C）。其非易失特性确保数据在断电情况下得以保持，适合需要大容量、可靠存储的嵌入式应用场景。
- 型号:MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-TBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:100 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:132-TBGA（12x18）
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