MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR是美光科技推出的一款256Gb容量并行接口NAND闪存芯片。它采用MLC NAND技术，组织架构为32G x 8位，通过并联接口支持高达333MHz的时钟频率，旨在提供高速的顺序数据读写能力，以满足对带宽有较高要求的应用。
该器件工作电压范围为2.5V至3.6V，操作温度覆盖0°C至70°C，确保了在广泛商用环境下的适用性。其非易失性特性与高存储密度使其成为需要大容量本地数据存储的嵌入式系统和工业设备的理想解决方案。
- 型号:MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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