MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR是美光科技推出的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和32G x 8的存储组织方式。该器件基于非易失性闪存技术，提供稳定的数据存储能力。
其核心特性包括支持高达83MHz的时钟频率以实现快速数据传输，工作电压范围为2.7V至3.6V，并能在0°C至70°C的环境温度下可靠运行。芯片采用152-TBGA封装，以卷带形式供货，适用于表面贴装工艺，主要面向需要大容量、高速存储解决方案的嵌入式系统和数据中心设备。
- 型号:MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-TBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（SLC）
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-TBGA
- 供应商器件封装:152-TBGA（14x18）
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