MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR

MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR是美光科技生产的一款1Tb容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件采用132-VBGA表面贴装封装，工作电压为2.5V至3.6V，支持高达333MHz的时钟频率，旨在提供高带宽的数据传输能力。

其核心特性包括128G x 8位的存储结构，属于非易失性存储器，可在0°C至70°C的环境温度下稳定工作。这些参数共同构成了一个高密度、高性能的存储解决方案，适用于需要快速访问和大容量非易失存储的各类电子系统。

• 制造商产品型号：MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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