MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A 是美光科技生产的一款1Tb容量并行接口NAND闪存芯片。它采用128G x 8位的组织方式，提供高达128GB的非易失性存储空间，并通过333MHz的时钟频率支持高速数据访问，其并联接口架构确保了宽数据带宽。
该芯片工作电压范围为2.5V至3.6V，采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度符合0°C至70°C的商业级标准。其核心价值在于为大容量、高吞吐率的嵌入式存储应用提供了一个成熟的解决方案，尤其适合需要快速读写大量数据的工业与通信设备场景。
- 型号:MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 132VBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Tb
- 存储器组织:128G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
- 想获取MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
