MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR是美光科技生产的一款1Tb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用3D NAND技术，以128G x 8位的组织形式提供高密度非易失存储，其并行接口支持高达333MHz的时钟频率，确保了高速的数据传输能力。
芯片工作电压范围为2.5V至3.6V，采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级应用环境。其核心价值在于为大容量数据存储需求提供了经过市场验证的高性能、高可靠性单芯片解决方案。
- 型号:MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Tb
- 存储器组织:128G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
- 想获取MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
