MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A是美光科技推出的一款1Tb容量、采用并行接口的NAND闪存芯片。它基于闪存技术，提供非易失性数据存储，核心配置为128G x 8位，支持高达333MHz的时钟频率，可实现高速数据访问。
该器件采用2.5V至3.6V供电，工作温度范围为0°C至70°C，并以132-VBGA封装形式提供，适用于表面贴装。其大容量与高速接口特性，使其成为满足现代数据存储对性能和密度要求的核心解决方案。
- 型号:MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 132VBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Tb
- 存储器组织:128G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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