MT29F1T08CUCBBH8-6ITR:B是美光科技生产的一款1Tb容量并行接口NAND闪存芯片。它采用152-LBGA封装，核心存储结构为128G x 8位组织，通过并联接口和最高167MHz的时钟频率支持高速数据吞吐，适用于对带宽有严格要求的存储解决方案。
该器件工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的宽温操作，符合工业级应用的环境可靠性标准。其非易失性闪存技术确保了数据在断电后的持久保存，主要面向企业存储、工业控制及高端嵌入式系统等需要大容量、高性能非易失存储的应用领域。
- 型号:MT29F1T08CUCBBH8-6ITR:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-LBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 152LBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Tb
- 存储器组织:128G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-LBGA
- 供应商器件封装:152-LBGA（14x18）
- 想获取MT29F1T08CUCBBH8-6ITR:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
