MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR

MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR是美光科技生产的一款大容量、高性能NAND闪存芯片。其核心卖点在于提供了高达1.5Tb（192GB x 8）的存储容量，并采用并联接口，支持高达267MHz的时钟频率，旨在实现高速数据读写，满足对带宽有严苛要求的应用场景。

该芯片工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容性良好，采用272-VFBGA表面贴装封装，适用于高密度电路板设计。作为非易失性存储器，它确保了数据的持久保存，主要面向企业存储、高端嵌入式系统及数据中心等需要可靠、大容量闪存解决方案的领域。

• 制造商产品型号：MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.5Tb（192G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：272-VFBGA
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