MT29F1G16ABBEAH4:E TR 是美光科技生产的一款1Gb容量NAND闪存存储器，采用16位并行接口和63-VFBGA封装。其核心规格为64M x 16的组织结构，提供了一种基于并联总线的高效数据存取路径。
该器件工作在1.7V至1.95V的低电压范围，功耗特性良好，并支持0°C至70°C的商业级工作温度。其非易失的特性确保了数据在断电后得以保存，适用于需要可靠存储解决方案的嵌入式系统。
作为一款已停产的产品，它代表了特定时期内中等容量、并行接口闪存的主流技术方案，常见于对数据吞吐有直接要求的传统嵌入式硬件设计中。
- 型号:MT29F1G16ABBEAH4:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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