MT29F1G08ABBEAH4:E TR是美光科技生产的一款1Gb（128M x 8）容量NAND闪存芯片，采用并行接口和63-VFBGA封装。该器件属于非易失性存储器，可在断电后永久保存数据，其1.7V至1.95V的低工作电压范围有助于实现系统低功耗设计。
该芯片提供了一种紧凑的表面贴装存储解决方案，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级应用环境。其核心卖点在于将1Gb的存储密度与并行接口的高数据带宽相结合，适合需要直接、快速存取存储数据的嵌入式系统。需要注意的是，该产品目前已停产，主要服务于既有项目的维护需求。
- 型号:MT29F1G08ABBEAH4:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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