MT29F1G08ABAFAH4-AATES:F

MT29F1G08ABAFAH4-AATES:F是美光科技推出的一款1Gb容量、采用SLC NAND技术的并行接口闪存芯片。该器件提供128M x 8位的组织架构，并具备20ns的快速页写入周期，确保了高效的数据编程能力。

其核心卖点在于卓越的环境适应性与可靠性。该芯片支持2.7V至3.6V的宽电压供电，并能在-40°C至105°C的极端温度范围内稳定工作，完全符合AEC-Q100汽车级认证标准。这种设计使其成为对数据完整性和长期耐用性有严苛要求的应用之理想选择。

器件采用63-VFBGA小型化封装，适用于表面贴装工艺，主要面向汽车电子、工业控制及高端嵌入式系统等需要高可靠性非易失存储的领域。

• 制造商产品型号：MT29F1G08ABAFAH4-AATES:F
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：Automotive, AEC-Q100
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（SLC）
• 存储容量：1Gb（128M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：20ns
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
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