MT29F16G08ABCCBH1-10Z:C TR是美光科技生产的一款16Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和100-VBGA封装。其核心架构为2G x 8位组织，提供非易失性数据存储，工作电压为2.7V至3.6V，接口时钟频率最高支持100MHz，适用于商业温度范围（0°C至70°C）的应用环境。
该器件的主要特性包括其并行接口带来的高数据传输带宽，以及表面贴装形式带来的高集成便利性。其规格适合需要中等容量、可靠存储且对数据读写速度有一定要求的嵌入式系统。需要注意的是，该产品目前已标记为停产状态。
- 型号:MT29F16G08ABCCBH1-10Z:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 16GBIT PARALLEL 100VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:16Gb
- 存储器组织:2G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:100 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
- 想获取MT29F16G08ABCCBH1-10Z:C TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
