MT29F16G08ABCBBH1-12:B TR是美光科技生产的一款16Gb（2G x 8位）并行接口NAND闪存芯片。该器件采用100-VBGA封装，工作电压为2.7V至3.6V，支持高达83MHz的时钟频率，能够实现高速的数据读写操作，满足了对存储带宽有要求的应用。
作为非易失性存储器，它在断电后能可靠保存数据，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级嵌入式系统。其并行接口便于与主控芯片直接连接，简化了系统设计。该芯片以卷带形式提供，适合自动化表面贴装生产。
- 型号:MT29F16G08ABCBBH1-12:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 16GBIT PARALLEL 100VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:16Gb
- 存储器组织:2G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
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