MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B TR是美光科技推出的一款16Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和2G x 8位的内部架构。该器件核心优势在于其83MHz的操作频率与宽电压（2.7V-3.6V）支持，能够实现高速数据访问并适应多样的电源环境。
其设计注重环境适应性，具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围，并采用100-VBGA表面贴装封装，确保了在苛刻条件下的可靠性和紧凑的系统集成度。这些特性使其成为工业控制、汽车电子及网络设备等需要大容量、非易失性存储应用的理想选择。
- 型号:MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 16GBIT PARALLEL 100VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:16Gb
- 存储器组织:2G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
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