MT29F128G08CBCEBL05B3WC1-M是美光科技生产的一款128Gb NAND Flash并行闪存芯片。该器件属于有源产品，提供散装包装，是构建大容量存储系统的核心元器件。
其核心卖点在于高达128Gbit的存储容量，能够满足数据密集型应用对海量非易失性存储的需求。作为一款并行接口闪存，它旨在提供高效的数据传输路径，适用于追求高带宽存储访问的系统设计。该芯片的推出，为需要可靠、大容量存储解决方案的各类电子设备提供了关键组件。
- 型号:MT29F128G08CBCEBL05B3WC1-M
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:模具
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128GBIT PARALLEL DIE
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Gb
- 存储器组织:16G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:模具
- 供应商器件封装:模具
- 想获取MT29F128G08CBCEBL05B3WC1-M的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
