MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR是美光科技生产的一款768Gb（96GB）大容量NAND闪存芯片。该器件采用并联接口，支持高达333MHz的时钟频率，能够实现高速数据访问，其工作电压范围为2.5V至3.6V。
芯片采用132-VBGA表面贴装封装，卷带包装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级环境。其核心优势在于结合了高存储密度与良好的数据传输性能，主要设计用于满足企业存储、数据中心等对容量和速度有严苛要求的应用场景。
- 型号:MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 768GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:768Gb
- 存储器组织:96G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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