MT29E768G08EEHBBJ4-3:B是一款由美光科技制造的768Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA封装。其核心卖点在于结合了高密度存储与高速数据传输能力，时钟频率可达333MHz，能够满足对带宽要求苛刻的应用需求。
该器件工作电压为2.5V~3.6V，工作温度范围0°C~70°C，属于商业级非易失性存储器。其96G x 8位的组织架构，适合构建大容量存储解决方案，主要应用于企业级存储、高速数据缓存及记录系统等领域。
- 型号:MT29E768G08EEHBBJ4-3:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 768GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:768Gb
- 存储器组织:96G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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