MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR

MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR是美光科技生产的一款6Tb容量NAND闪存芯片。该器件采用非易失性存储技术，核心配置为768G x 8位组织架构，能够提供稳定、海量的数据存储空间。

其核心卖点在于支持高达333MHz时钟频率的并行接口，这为需要高带宽数据读写的应用提供了关键性能保障。芯片工作电压范围为2.5V至3.6V，并可在0°C至70°C的环境温度下稳定运行，兼顾了性能与可靠性，主要面向企业级存储与高性能计算市场。

• 制造商产品型号：MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 6TB PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：6Tb（768G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• 想获取MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料