MT29E512G08CEHBBJ4-3:B是美光科技推出的一款512Gb（64GB）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA封装。该器件基于闪存-NAND技术，提供非易失性数据存储，核心组织架构为64G x 8位宽，支持高达333MHz的时钟频率，适用于需要高速数据读写的应用场景。
其工作电压范围为2.5V至3.6V，兼容常见的系统电源设计，工作温度覆盖0°C至70°C的商业级范围。该芯片采用表面贴装形式，适合自动化生产。作为一款高密度存储解决方案，它在嵌入式存储、工业系统和辅助存储模块中能够提供可靠的大容量数据存储支持。
- 型号:MT29E512G08CEHBBJ4-3:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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