MT29E4T08EYHBBG9-3:B

MT29E4T08EYHBBG9-3:B是美光科技生产的一款4Tb容量、并行接口的NAND闪存芯片。该器件采用非易失性存储技术，内部组织为512G x 8位，为核心存储阵列提供了高效的数据通路。

其关键性能参数包括支持高达333MHz的时钟频率，配合并联接口可实现极高的数据吞吐率，满足高性能计算与存储的带宽需求。工作电压范围为2.5V至3.6V，并能在0°C至70°C的环境温度下稳定运行，确保了广泛的适用性和可靠性。

• 制造商产品型号：MT29E4T08EYHBBG9-3:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Tb（512G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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