MT47H64M8CB-25:B TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片。该器件采用64M x 8位的组织架构和并联接口，在400MHz的时钟频率下可实现高达800MT/s的数据传输速率，为核心处理器提供高效的数据吞吐支持。
其工作电压为1.7V至1.9V，有助于降低系统整体功耗。芯片采用60-FBGA表面贴装封装，支持0°C至85°C的工业级工作温度范围，并具备快速的访问时间（400ps）和写周期时间（15ns），确保了在各类嵌入式及网络应用中的响应速度和数据可靠性。
- 型号:MT47H64M8CB-25:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA
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