MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR

MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR是美光科技生产的一款2Tb大容量NAND闪存芯片。该器件采用并联接口，支持高达333MHz的时钟频率，能够提供卓越的数据传输带宽，满足高速数据读写的严苛要求。

其核心优势在于结合了高密度存储与高性能访问。2Tb（256G x 8）的存储容量为海量数据存储提供了基础，而宽电压（2.5V~3.6V）供电设计和0°C至70°C的工作温度范围，则确保了其在各种商业级应用环境中的稳定性和可靠性。这款非易失性存储器是构建企业存储、数据中心及高性能计算系统的理想选择。

• 制造商产品型号：MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 2TB PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：2Tb（256G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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