MT46V128M4BN-75:D TR是美光科技生产的一款512Mbit DDR SDRAM存储器,采用128M x 4的并行架构。该器件基于DDR技术,在133MHz时钟频率下实现高效数据传输,访问时间仅为750ps,适合要求快速响应的应用。
其工作电压范围为2.3V至2.7V,采用60-TFBGA表面贴装封装,支持0°C至70°C的商业温度范围。该芯片提供稳定的并联接口,适用于网络设备、工业控制等嵌入式系统,作为缓存或缓冲存储器使用。
- 制造商产品型号:MT46V128M4BN-75:D TR
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 产品系列:存储器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:停产
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb(128M x 4)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:133MHz
- 写周期时间-字,页:15ns
- 访问时间:750ps
- 电压-供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:60-TFBGA
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