MT29E256G08CECCBH6-6:C是美光科技生产的一款256Gb容量并行NAND闪存芯片，采用152-VBGA封装。其核心架构组织为32G x 8位，通过并联接口与主机控制器通信，时钟频率最高可达167MHz，能够提供较高的顺序读写带宽。
该芯片工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V逻辑电平，工作温度满足0°C至70°C的商用范围。其非易失性存储特性确保了数据在断电后的持久保存。这些参数使其成为需要大容量、可靠数据存储的嵌入式系统的合适选择。
- 型号:MT29E256G08CECCBH6-6:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-VBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-VBGA
- 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
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