MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR

MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR是美光科技生产的一款1.5Tb大容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA封装。该器件基于闪存技术，提供非易失性数据存储，断电后信息不丢失，其核心存储结构为192G x 8位。

芯片工作电压覆盖2.5V至3.6V的宽范围，兼容性佳，工作温度支持0°C至70°C的商业级标准。作为有源器件，它采用表面贴装型，并以卷带形式供货，便于自动化生产。这款高密度闪存主要面向需要处理大量数据的存储应用。

• 制造商产品型号：MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.5T PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.5Tb（192G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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