MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H是美光科技的一款集成式存储器解决方案，采用121-VFBGA封装，将1Gb NAND闪存与512Mb LPDDR2 DRAM合二为一。这种混合架构旨在为嵌入式系统提供优化的存储层次，其中NAND闪存担当非易失性大容量存储角色，而时钟频率达533MHz的LPDDR2部分则提供高速数据缓冲和运行空间。
该器件工作电压为1.8V，支持-25°C至85°C的工业级温度范围，并通过并联接口与主控制器连接，适合对功耗、尺寸和可靠性有严格要求的应用。其设计满足了在单一紧凑封装内实现数据持久化存储与高速存取的双重需求，适用于空间受限的便携式及工业电子设备。
- 型号:MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:121-VFBGA（8x7.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 1GBIT PAR 121VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
- 存储容量:1Gb（NAND），512Mb（LPDDR2）
- 存储器组织:128M x 8（NAND），32M x 16（LPDDR2）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.8V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:121-WFBGA
- 供应商器件封装:121-VFBGA（8x7.5）
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