MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR是美光科技生产的一款1.5Tb大容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA封装。该器件基于非易失性闪存技术，提供192G x 8的组织结构，工作电压为2.5V至3.6V，适用于商业温度范围（0°C至70°C）内的表面贴装应用。
其核心优势在于极高的存储密度和并行数据传输能力，旨在满足对海量数据存储有严格要求的系统设计。该芯片适用于需要处理大量连续数据读写的场景，为存储子系统提供了高带宽的解决方案。
- 型号:MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1.5TBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1.5Tb
- 存储器组织:192G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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