MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR是一款由美光科技制造的高集成度存储器解决方案，采用137-TFBGA封装。它将4Gb NAND闪存与4Gb低功耗移动DRAM（LPDRAM）集成于单一芯片内，形成一种多芯片封装（MCP）结构。
该器件NAND部分组织为256M x 16，用于非易失性数据存储；LPDRAM部分组织为128M x 32，作为高速系统运行内存，支持高达200MHz的工作频率，并在1.7V至1.95V的电压范围内运行。其并联接口和宽工作温度范围（-25°C至85°C）使其非常适合空间受限、对功耗敏感且需要可靠存储与内存性能的移动及嵌入式应用。
- 型号:MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:137-TFBGA（10.5x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137TFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:闪存 - NAND，移动 LPDRAM
- 存储容量:4Gb（NAND），4Gb（LPDRAM）
- 存储器组织:256M x 16（NAND），128M x 32（LPDRAM）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:137-TFBGA
- 供应商器件封装:137-TFBGA（10.5x13）
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