MT41K1G8RKB-107:P TR是美光科技生产的一款8Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用TwinDie技术封装。其主要特性包括1.283V至1.45V的低工作电压范围，以及高达933MHz的时钟频率，在提供1866 MT/s数据速率的同时，有效降低了系统整体功耗。
该器件采用并联接口和78-TFBGA封装，具备20ns的快速访问时间，支持0°C至95°C的工业级工作温度。这些参数使其成为需要高带宽、低功耗及高可靠性的嵌入式内存解决方案的核心组件。
- 型号:MT41K1G8RKB-107:P TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
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