M29W400DB45ZE6E是美光科技推出的一款4Mbit并行NOR闪存芯片，采用48-TFBGA封装。它提供512K x 8位或256K x 16位的灵活存储组织方式，并具备45ns的高速访问时间，适合对代码读取速度有严格要求的应用。
该芯片工作电压为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V系统，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。其并行接口便于与主流处理器直接连接，常用于存储启动代码、应用程序或需要就地执行（XIP）的固件。
- 型号:M29W400DB45ZE6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TFBGA（6x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:512K x 8，256K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:45ns
- 访问时间:45 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFBGA
- 供应商器件封装:48-TFBGA（6x9）
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