MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F 是美光科技推出的一款车规级、多芯片封装存储器件。它将4Gb NAND闪存与8Gb LPDDR2移动DRAM集成于单一162-VFBGA封装中，形成一套完整的存储子系统。其核心价值在于为空间和可靠性敏感的应用提供了高集成度解决方案，显著节省PCB面积并简化设计。
该器件工作电压为1.7V-1.9V，LPDDR2部分运行时钟频率可达533MHz，提供高速数据缓存能力。其关键特性是符合AEC-Q100标准，并支持-40°C至105°C的宽工作温度范围，确保了在严苛的汽车及工业环境下的稳定性和耐久性。这款存储器适用于需要同时进行非易失性数据存储和高速数据处理的嵌入式场景。
- 型号:MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:162-VFBGA（10.5x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:闪存 - NAND，移动 LPDRAM
- 存储容量:4Gb（NAND），8Gb（LPDDR2）
- 存储器组织:512M x 8（NAND），512M x 16（LPDDR2）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:162-VFBGA
- 供应商器件封装:162-VFBGA（10.5x8）
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