MT28F004B5VG-8 T TR是美光科技推出的一款4Mb容量并行NOR闪存芯片,采用512K x 8位的存储结构。该器件基于非易失性闪存技术,提供稳定的数据存储,其80ns的访问时间和写周期时间确保了在嵌入式系统中快速的数据读取和写入性能。
芯片工作电压为4.5V至5.5V,兼容标准5V逻辑系统,并采用40引脚TSOP-I表面贴装封装,便于集成。其并行接口支持直接的字节级寻址,适用于需要从存储器直接执行代码(XIP)的应用场景,如系统引导、固件存储等。