M58WR064KU70ZA6E是美光科技生产的一款64Mb并行NOR闪存芯片，采用4M x 16位的组织结构。该器件支持1.7V至2.0V的低电压操作，最大时钟频率可达66MHz，并提供了70ns的快速访问时间和写周期时间，确保了高效的数据读写性能。
其采用88-VFBGA表面贴装封装，工作温度范围为-40°C至85°C，适用于对可靠性和环境适应性要求较高的嵌入式系统。该芯片的并行接口便于与主处理器直接连接，常用于存储启动代码、应用程序或需要快速随机访问的系统数据。
- 型号:M58WR064KU70ZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:88-VFBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 88VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:66 MHz
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:88-VFBGA
- 供应商器件封装:88-VFBGA（8x10）
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