M58WR064KB70ZB6E是美光科技生产的一款64Mb并行NOR闪存，采用4M x 16位的组织结构。该器件基于1.8V低电压供电，具备70ns的快速访问时间和高达66MHz的操作频率，为嵌入式系统提供了高速的代码执行与数据读取能力。
其核心特性包括支持字/页编程操作，写周期时间仅为70ns，以及宽泛的工作电压范围（1.7V~2.0V）。芯片采用56-VFBGA封装，工作温度覆盖-40°C至85°C的工业级范围，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性，适用于对启动速度和数据完整性要求严苛的工业控制、通信及汽车电子等领域。
- 型号:M58WR064KB70ZB6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-VFBGA（7.7x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:66 MHz
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-VFBGA
- 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
- 想获取M58WR064KB70ZB6E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
