M58LR128KB85ZB5F TR是美光科技推出的一款128Mb容量并行NOR闪存芯片，采用8M x 16位的组织结构。其核心优势在于85ns的快速访问时间和高达66MHz的操作频率，配合并联接口，能够提供高速的数据吞吐和低延迟的随机存取能力，非常适合需要直接从闪存执行代码的应用。
该器件工作在1.7V至2.0V的低电压范围，有助于降低系统整体功耗。其工业级宽温范围（-30°C至85°C）和56-VFBGA紧凑型封装，进一步增强了其在严苛环境和空间受限的嵌入式设计中的适用性。
- 型号:M58LR128KB85ZB5F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-VFBGA（7.7x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PAR 56VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:66 MHz
- 写周期时间 - 字，页:85ns
- 访问时间:85 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-VFBGA
- 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
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