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MICRON
M36W0R6050L4ZSE的图片

M36W0R6050L4ZSE

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH RAM 64MBUT PAR 56TFBGA
原厂封装:封装:-
优势价格,M36W0R6050L4ZSE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M36W0R6050L4ZSE的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

M36W0R6050L4ZSE是美光科技推出的一款64Mb(4M x 16位)并行NOR闪存芯片,采用56-TFBGA封装。该器件提供70ns的快速访问时间,支持处理器高效执行片上代码,并工作在1.7V至1.95V的低电压范围,有助于系统节能。

其宽工作温度范围(-30°C至85°C)和可靠的闪存技术,使其能够适应工业控制、汽车电子及网络设备等对稳定性和环境适应性要求较高的嵌入式应用场景,作为固件、启动代码或关键参数的非易失性存储介质。

  • 型号:M36W0R6050L4ZSE
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:-
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH RAM 64MBUT PAR 56TFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:FLASH,RAM
  • 技术:闪存
  • 存储容量:64Mbit
  • 存储器组织:4M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:70 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:56-TFBGA
  • 供应商器件封装:-
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