M29W800DT70ZM6E是美光科技生产的一款8Mb(1M x 8/512K x 16)并行NOR闪存芯片,采用TFBGA封装。该芯片提供70ns的快速访问时间和写入周期,支持宽电压供电(2.7V-3.6V),并具备工业级工作温度范围(-40°C至85°C),确保了在苛刻环境下的数据可靠性与系统快速响应能力。
其标准的并行接口设计简化了与主控处理器的连接,适用于需要直接执行代码(XIP)或快速读取固定数据的嵌入式系统。作为非易失性存储器,它主要用于存储固件、引导程序、关键配置参数或数据日志,是工业控制、通信设备和汽车电子等领域中经典的存储解决方案之一。
- 型号:M29W800DT70ZM6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:-
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL TFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:1M x 8,512K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:-
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