M29W400DB55ZE6F TR是美光科技推出的一款4Mb并行NOR闪存，采用48-TFBGA封装。该芯片提供512K x 8位或256K x 16位两种可配置的组织结构，支持灵活的字节/字访问模式，便于与不同位宽的系统总线连接。
其核心特性包括55ns的快速访问时间和写周期时间，工作电压为2.7V至3.6V，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内可靠工作。这些参数使其适合作为嵌入式系统中的程序存储或数据存储介质，尤其适用于要求快速读取和可靠性的应用场景。
- 型号:M29W400DB55ZE6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TFBGA（6x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:512K x 8，256K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:55ns
- 访问时间:55 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFBGA
- 供应商器件封装:48-TFBGA（6x9）
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