M29W400DB55ZE6E是美光科技推出的一款4Mb并行NOR闪存芯片，采用48-TFBGA封装。它提供512K x 8位或256K x 16位两种灵活的组织模式，并具备55ns的高速访问与写入时间，支持在2.7V至3.6V电压及-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作。
该器件基于非易失性闪存技术，数据断电不丢失，其快速的随机读取能力使其非常适合需要直接执行代码（XIP）的嵌入式系统。它主要面向工业控制、汽车电子、网络设备等对可靠性和实时性有较高要求的应用，用于存储固件、引导程序及关键配置参数。
- 型号:M29W400DB55ZE6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TFBGA（6x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:512K x 8，256K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:55ns
- 访问时间:55 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFBGA
- 供应商器件封装:48-TFBGA（6x9）
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