M29W256GL70ZA6E 是美光科技推出的一款 256Mb 并行 NOR 闪存芯片，采用 64-TBGA 封装。该器件提供 32M x 8 位或 16M x 16 位的灵活存储组织方式，支持高速异步读取，其访问时间和字/页编程时间均达到 70ns 级别，确保了优异的数据吞吐性能。
芯片工作电压范围为 2.7V 至 3.6V，并能在 -40°C 至 85°C 的工业级温度范围内稳定运行，满足严苛环境下的可靠性要求。作为一款非易失性存储器，它适用于需要可靠存储启动代码、应用程序或关键参数的各类嵌入式系统设计。
- 型号:M29W256GL70ZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-TBGA（10x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64TBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8，16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-TBGA
- 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
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