M29W256GH7AZS6F TR

M29W256GH7AZS6F TR是美光科技推出的一款256Mb并行NOR闪存芯片，采用64-LBGA封装。该器件提供32M x 8位或16M x 16位的可配置存储结构，支持快速的并行数据访问，其访问时间与写周期时间均为70ns，适用于对执行速度有要求的嵌入式代码存储场景。

芯片工作电压为2.7V至3.6V，并具备-40°C至85°C的宽工业级工作温度范围，确保了在恶劣环境下的稳定性和数据非易失性。其表面贴装设计便于集成，主要面向工业控制、汽车电子、网络设备等需要可靠固件存储和快速启动的应用领域。

• 制造商产品型号：M29W256GH7AZS6F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：256Mb（32M x 8，16M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：70ns
• 访问时间：70ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：64-LBGA
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