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MICRON
M29W160EB80ZA3SE TR的图片

M29W160EB80ZA3SE TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
原厂封装:产品封装:48-TFBGA
优势价格,M29W160EB80ZA3SE TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M29W160EB80ZA3SE TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

M29W160EB80ZA3SE TR是一款16Mb(2M x 8 / 1M x 16)的并行接口NOR闪存芯片,采用48-TFBGA封装。该器件基于非易失性闪存技术,提供80ns的快速访问时间和写周期时间,确保了高效的数据吞吐能力。

其工作电压范围为2.7V至3.6V,兼容标准的3.3V系统,并支持-40°C至125°C的宽工作温度范围,满足工业及高可靠性应用的环境要求。该芯片支持灵活的字节/字宽配置,适用于需要高速代码执行的嵌入式系统。

  • 制造商产品型号:M29W160EB80ZA3SE TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:16Mb(2M x 8,1M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:80ns
  • 访问时间:80ns
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:48-TFBGA
  • 想获取M29W160EB80ZA3SE TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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