M29W128GSH70ZA6E是美光科技生产的一款128Mb并行NOR闪存芯片，采用64-TBGA表面贴装封装。该芯片提供16M x 8位或8M x 16位两种可配置的组织结构，兼容性强，其核心优势在于70ns的快速访问时间和写周期时间，支持高效的代码直接执行。
器件工作在2.7V至3.6V的宽电压范围，并支持-40°C至85°C的工业级温度范围，确保了在苛刻环境下的数据可靠性与系统稳定性。作为一款成熟的并行NOR闪存解决方案，它适用于对启动速度和代码执行可靠性有严格要求的嵌入式应用领域。
- 型号:M29W128GSH70ZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-TBGA（10x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64TBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:16M x 8，8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-TBGA
- 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
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