M29W128GL7AZS6E

M29W128GL7AZS6E 是美光科技生产的一款128Mbit并行NOR闪存芯片，采用64-LBGA封装。该器件提供16M x 8位或8M x 16位的灵活配置，访问时间和写周期时间均为70ns，确保了高速的数据读取和编程性能。

其工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，具备良好的环境适应性。作为一款非易失性存储器，它主要用于需要快速启动和可靠代码执行的嵌入式系统中，是存储固件、引导代码和关键参数的理想解决方案。

• 制造商产品型号：M29W128GL7AZS6E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：128Mb（16M x 8，8M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：70ns
• 访问时间：70ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：64-LBGA
• 想获取M29W128GL7AZS6E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料