M29DW641F60ZE6E是美光科技生产的一款64Mb（4M x 16位组织）并行NOR闪存芯片，采用48-TFBGA封装。该器件提供60ns的快速访问时间和写周期时间，支持高效的随机读取和字节/字编程操作，适用于需要直接从闪存执行代码的嵌入式应用。
其工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V系统逻辑，并具备-40°C至85°C的宽工作温度范围，满足工业级环境要求。作为一款非易失性存储器，它通过标准的异步并行接口进行数据交换，为通信设备、工业控制等领域的固件存储和更新提供了可靠的解决方案。
- 型号:M29DW641F60ZE6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TFBGA（6x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:60ns
- 访问时间:60 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFBGA
- 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
- 想获取M29DW641F60ZE6E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
