MT53E768M32D4DT-046 WT:E

MT53E768M32D4DT-046 WT:E是美光科技生产的一款24Gb容量、基于LPDDR4技术的移动DRAM。该器件采用768M x 32的组织结构，运行时钟频率为2.133GHz，可提供高达4266MT/s的数据传输速率，满足高带宽应用需求。

其核心优势在于高性能与高可靠性的结合。器件采用0.6V和1.1V的双电压供电以实现低功耗运行，并符合AEC-Q100汽车级标准，工作温度范围达-30°C至85°C（TC），确保在严苛环境下的稳定性。产品采用200-VFBGA紧凑封装，适用于空间受限的汽车电子及工业嵌入式系统设计。

• 型号:MT53E768M32D4DT-046 WT:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-VFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ 200VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:24Gb
• 存储器组织:768M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-VFBGA
• 供应商器件封装:200-VFBGA（10x14.5）
• 想获取MT53E768M32D4DT-046 WT:E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料