JR28F064M29EWLB TR是美光科技生产的一款64Mb并行NOR闪存芯片，采用48-TSOP封装。该器件提供8M x 8位或4M x 16位的灵活存储配置，支持快速的随机访问，其访问时间和写周期时间均为70ns，确保了高效的数据读写和代码执行性能。
芯片工作在2.7V至3.6V的宽电压范围，并具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围，保证了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。其标准的并行接口便于与各类微控制器或处理器连接，主要面向需要可靠非易失性存储的嵌入式应用，如工业控制、通信设备和汽车电子等领域的固件存储。
- 型号:JR28F064M29EWLB TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:8M x 8，4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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