GE28F160C3TD70A

GE28F160C3TD70A是一款由美光科技制造的16Mb（1M x 16位）并行接口闪存芯片，采用引导块技术。该器件提供70ns的快速访问时间和写入周期，并支持2.7V至3.6V的宽电压供电，适用于对读取速度和功耗有要求的嵌入式环境。

其工业级工作温度范围（-40°C至85°C）和46-VFBGA表面贴装封装，使其能够适应严苛的物理环境并满足紧凑型电路板设计的需求。该芯片的非易失性存储特性与引导块架构，为系统启动代码和关键固件的安全存储提供了可靠的解决方案。

• 型号:GE28F160C3TD70A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:46-VFBGA（7.29x6.96）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 16MBIT PARALLEL 46VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - 引导块
• 存储容量:16Mb
• 存储器组织:1M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:46-VFBGA
• 供应商器件封装:46-VFBGA（7.29x6.96）
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